GlobalFoundries och 28nm - DAC 2010

Idag på DAC 2010 meddelade ARM leverans av branschens första kompletta vertikalt optimerade 32/28 nanometer [nm] designplattform. Lösningen består av optimerad hög prestanda, låg energiförbrukning och fysisk IP från ARM, och 32/28nm lågeffekt processteknik från den gemensamma alliansen bestående av IBM, Samsung och GlobalFoundries.

Den gemensamma plattformen för 32/28nm-processen använder en innovativ HKMG [high-k metal gate]-strategi för att möta kiselteknikens begränsningar. Den utnyttjar insatser för forskning och utveckling av IBM:s gemensamma teknikutvecklingsallians för att erbjuda en hög prestanda, och strömsnål plattform. 32nm-tekniken är skalbar till 28nm. Kunderna kan smidigt övergå till 28nm-teknik utan att det behövs en stor omarbetning och med lägre risk och lägre kostnader.

Samsungfabriken kvalificerade för 32nm LP [strömsnål] HKMG-processteknik. Den kvalificerade tekniken ger en 20-procentig prestandavinst, en 30-procentig minskad strömförbruknng, och en 55-procentig minskning av strömläckage jämfört med 45nm.

Den gemensamma plattformen för 32/28nm-processen ger en standardiserad plattform för att tillverka 28nm LP HKMG halvledare för en ny generation av mobila enheter, 28nm LP-tekniken med HKMG kommer att examineras vid fabriken hos GlobalFoundries under första kvartalet 2011.



Källa: VR-Zone